Корзина
200 отзывов
Samsung 4Gb DDR3 на основе 20нм техпроцесса
Контакты
Galaxis
+7812716-10-93по С-Петербургу и регионам России
+7499394-43-88по Москве и Московской области
РоссияСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2
268-438-090
Карта

Samsung 4Gb DDR3 на основе 20нм техпроцесса

Samsung 4Gb DDR3 на основе 20нм техпроцесса

   Компания Samsung объявила о начале массового производства оперативной памяти DDR3 на основе 20 нм техпроцесса, благодаря модифицированному подходу к масштабирования. Масштабирование DRAM памяти технически сложнее, чем масштабирование NAND. В NAND флэш ячейке памяти необходим только транзистор, однако в DRAM памяти каждая ячейка требует наличия конденсатора и транзистора, связанных друг с другом. Для более продвинутой DRAM памяти Samsung использует модифицированную технологию двойного структурирования и молекулярного наслаивания .

   Представители компании утверждают, что новая технология позволит значительно улучшить производительность оборудования, а это более чем на 30 процентов выше, чем у предыдущей 25нм DDR3, и более чем вдвое больше, чем 30нм DDR3. Также новые модули памяти 20нм 4Gb DDR3 позволят сэкономить до 25% энергии, потребляемой эквивалентных модулями на основе предыдущего 25 нм техпроцесса.

MEM-3900-2GB 2GB Transcend модуль оперативной памяти для CISCO 3900 Series Router - 3925, 3945. Высочайшее качество и надежность. Доставка по России и СНГ.