Компания SAMSUNG начала поставки своих первых чипов памяти 8Gbit DDR4 и 32GB dual in-line модулей памяти для серверов, произведенных с использованием 20 нм техпроцесса.
По словам представителя корейской компании, 20 нм процесс производства был расширена от рынков памяти персональных компьютеров и мобильных устройств, до рынков серверов корпоративного класса с использованием этих новых модулей памяти.
По предоставленной информации, новый модуль 32 Гб предлагает скорость передачи данных на контакт до 2,400Mbps, что приводит к увеличению производительности на 29 процентов по сравнению с модулем памяти DDR3 1866. В будущем компания планирует увеличить скорость DDR4 модулей выше 3,200Mbps.
Использование новых компонентов 8Gbit DDR4 с применением 3D технологий для производства чипов, позволить в будущем производить модули памяти до 128GB.
Наряду с повышением производительности, новые DDR4 чипы предлагают усовершенствованные функции коррекции ошибок для большей надежности использования памяти в корпоративных серверах. Новый чип DDR4 и модули памяти используют напряжение питания 1.2v, что на сегодняшний день является самым низким значением.
MEM2800-256CF 256MB GTech Memory Flash память для CISCO Router 2800 series. Оборудование для Cisco высокого качества с доставкой по России.