Ваш город
Москва
Ваш город Москва?
8 (800) 551-52-61
Бесплатный звонок по РФ
по Москве и МО
по Санкт-Петербургу
Режим работы:
Пн-Пт 11:00—18:00
sale@allram.ru
отправить запрос   
Пункт выдачи в Москве
г. Москва пер. Пуговишников д.16
Пункт выдачи в С-Петербурге
г. Санкт-Петербург ул. Турку д. 8 к. 1
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Корзина пуста0 руб.0
Товары в корзине
корзина пуста
Корзина пуста0 руб.0
Товары в корзине
корзина пуста

Toshiba планирует обойти Samsung в производстве 3D чипов

Неблагоприятные новости для Samsung приходят из Японии, Токио. Представители Toshiba заявили о намерениях начать серийное производстве 3D чипов памяти по новейшей технологии в текущем году, тем самым обогнать лидера отрасли Samsung. Новые чипы по технологии 64 слоя имеют на 30% большую емкость, чем чипы в 48 слоев, которые уже производятся Toshiba и Samsung.

Японский производитель начал производство 3D чипов в технологии исполнения 48 слоев только весной этого года, но планирует значительно повысить объемы производства в ближайшие два года, в том числе и за счет производства 3D чипов по новейшей технологии в 64 слоя. В качестве производственных мощностей планируется использовать завод Toshiba в Yokkaichi, префектура Миэ.

Конечно новые 3D чипы в 64 слоя будут дороже своих предшественников, но за счет большего объема стоимость единицы емкости получиться дешевле, что окажется востребованным за счет высокого спроса потребителей на рынке смартфонов и портативных компьютеров, а также стремления производителей электронных устройств повысить объем хранения и скорость обработки данных.

Высокая цена новых 3D чипов обусловлена сложностью производства, чем больше количество слоев, тем сложнее технология исполнения и затраты на производство.

Корейский производитель Samsung планирует начать производство новых 3D чипов в 2017 году.

Модули оперативной памяти MEM-CC-WAN-512M 512MB GTech Memory для CISCO Catalyst 6500/ 7600 Enhanced FlexWAN modules, высокое качество и надежность, доставка по России.

Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был лучше для вас.