Корзина
222 отзыва
Доставка по всем регионам России, Белоруссии, Казахстана
+7
812
716-10-93
+7
499
394-43-88
РоссияСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2 ⚹⚹⚹ Россия, Москва, Пункт выдачи - Фрунзенская наб, д.30 с.2
GALAXIS - flash и оперативная память премиум качества
Оставить отзыв
Samsung 96L V-NAND пуск в серию

Samsung 96L V-NAND пуск в серию

Samsung 96L V-NAND пуск в серию

   Компания Samsung объявила о начале массового производства своего пятого поколения вертикальной flash памяти 3D NAND, которую они официально маркируют как V-NAND. Это новое поколение чипов с увеличенным количеством слоем с 64 до 96 (в технической документации указывается "более 90 " слоев), тем самым обеспечивая дальнейшее увеличение плотности без какого-либо ущерба надежности и долговечности, возникающего в процессе сжатия линейной флеш памяти NAND. Впервые производитель анонсировал 96L V-NAND в августе 2017 года на мероприятии Flash Memory Summit и, спустя менее двенадцати месяцев, запустил продукцию с серию.

   V-NAND пятого поколения демонстрирует значительный рост производительности, благодаря интерфейсу Toggle DDR 4.0, пропускная способность увеличилась с 800Mbit/s на предыдущем поколении модели, до скорости 1,4Gbit/s в новом продукте. Снижение рабочего напряжения с 1,8V до 1,2V позволяет компенсировать дополнительное энергопотребление, которое в противном случае приведет к увеличению скорости интерфейса. Также Sаmsung ссылается на уменьшение задержек как чтения, так и программирования. Задержка чтения не улучшалась при переходе от 48L к 64L, но теперь ее удалось уменьшить до 50 мкс. Задержка программирования (записи) уменьшилась на 30% до 500 мкс.

   Samsung не стал подробно делиться сведениями о процессах усовершенствования, но высота каждого слоя ячейки памяти уменьшилась на 20%, что помогло уменьшить чрезвычайно высокое соотношение сторон отверстий, которые необходимо вытравить для вертикальных строк ячеек памяти. Считается, что трудности с высоким отношением сторон стали причиной задержек, которыми страдал 48L V-NAND, что привело в нескольким отзывам продукта. Переход Samsung на 64L оказался более плавным, а с использованием 96L производитель заявил о росте производительности на 30%.

   Первая часть чипов 96L в массовом производстве, это 256GB TLC (три бита на ячейку), которые будут широко использоваться в мобильных устройствах, картах памяти 1 гб и твердотельных накопителях. Потребуется время, что удовлетворить потребность в большой производительности с низкой стоимостью на бит, прежде всего это качается серверных SSD. Речь идет о 1Tb QLC NAND (четыре бита на ячейку).

Предыдущие новости