Ваш город
Москва
Ваш город Москва?
8 (800) 551-52-61
Бесплатный звонок по РФ
по Москве и МО
по Санкт-Петербургу
Режим работы:
Пн-Пт 11:00—18:00
sale@allram.ru
отправить запрос   
Пункт выдачи в Москве
г. Москва пер. Пуговишников д.16
Пункт выдачи в С-Петербурге
г. Санкт-Петербург ул. Турку д. 8 к. 1
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Корзина пуста0 руб.0
Товары в корзине
корзина пуста
Корзина пуста0 руб.0
Товары в корзине
корзина пуста

Samsung 96L V-NAND пуск в серию

Компания Samsung объявила о начале массового производства своего пятого поколения вертикальной flash памяти 3D NAND, которую они официально маркируют как V-NAND. Это новое поколение чипов с увеличенным количеством слоем с 64 до 96 (в технической документации указывается "более 90 " слоев), тем самым обеспечивая дальнейшее увеличение плотности без какого-либо ущерба надежности и долговечности, возникающего в процессе сжатия линейной флеш памяти NAND. Впервые производитель анонсировал 96L V-NAND в августе 2017 года на мероприятии Flash Memory Summit и, спустя менее двенадцати месяцев, запустил продукцию с серию.

V-NAND пятого поколения демонстрирует значительный рост производительности, благодаря интерфейсу Toggle DDR 4.0, пропускная способность увеличилась с 800Mbit/s на предыдущем поколении модели, до скорости 1,4Gbit/s в новом продукте. Снижение рабочего напряжения с 1,8V до 1,2V позволяет компенсировать дополнительное энергопотребление, которое в противном случае приведет к увеличению скорости интерфейса. Также Sаmsung ссылается на уменьшение задержек как чтения, так и программирования. Задержка чтения не улучшалась при переходе от 48L к 64L, но теперь ее удалось уменьшить до 50 мкс. Задержка программирования (записи) уменьшилась на 30% до 500 мкс.

Samsung не стал подробно делиться сведениями о процессах усовершенствования, но высота каждого слоя ячейки памяти уменьшилась на 20%, что помогло уменьшить чрезвычайно высокое соотношение сторон отверстий, которые необходимо вытравить для вертикальных строк ячеек памяти. Считается, что трудности с высоким отношением сторон стали причиной задержек, которыми страдал 48L V-NAND, что привело в нескольким отзывам продукта. Переход Samsung на 64L оказался более плавным, а с использованием 96L производитель заявил о росте производительности на 30%.

Первая часть чипов 96L в массовом производстве, это 256GB TLC (три бита на ячейку), которые будут широко использоваться в мобильных устройствах, картах памяти 1 гб и твердотельных накопителях. Потребуется время, что удовлетворить потребность в большой производительности с низкой стоимостью на бит, прежде всего это качается серверных SSD. Речь идет о 1Tb QLC NAND (четыре бита на ячейку).

Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был лучше для вас.