Корзина
235 отзывов
Прием звонков Пн-Пт 11:00-18:00  Прием заявок shop@allram.ru
+74993944388
+78127161093
РоссияСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2 ⚹⚹⚹ Россия, Москва, Пункт выдачи - Фрунзенская наб, д.30 с.2
Galaxis - опции flash и dram памяти
Оставить отзыв

MRAM решения от Spin Memory и Applied Materials

MRAM решения от Spin Memory и Applied Materials

   Spin Memory, ведущий разработчик MRAM, сегодня объявила о коммерческом соглашении с Applied Materials, чтобы создать комплексное встраиваемое решение MRAM, которое объединит ведущие в отрасли возможности Applied Materials с технологиями MRAM от Spin Memory.

Комплексное MRAM решение

   Ключевыми элементами предложения являются прикладные инновации в технологии PVD и травления, революционная технология Precessional Spin Current от Spin Memory (PSC) и ведущая в отрасли технология перпендикулярного магнитного туннельного перехода (pMTJ) от обеих компаний. Решение предназначено для того, чтобы позволить клиентам быстро внедрить встраиваемый модуль MRAM и начать выпуск продуктов MRAM мирового уровня как для энергонезависимых (как flash) приложений, так и для замены SRAM и, в перспективе, DRAM памяти. Spin Memory намерена сделать решение коммерчески доступным с 2019 года.

   Представитель Spin Memory рассказал, что в эпоху AI и IoT индустрия нуждается в высокоскоростной и экономичной по стоимости энергонезависимой памяти, как никогда раньше. Благодаря сотрудничеству с Applied Materials, на рынке появится новое поколение STT-MRAM, которое сможет частично удовлетворить растущую потребность в альтернативных решениях для хранения данных.

   Руководство Applied Materials считает, что совместная работа позволит ускорить доступность новой памяти на рынке в преддверии новой волны вычислений, которая приведет к значительному росту производства данных.

О PSC

   Структура PSC увеличивает эффективность спинового момента любого MRAM-устройства на 40-70%, что позволяет каждому MRAM достичь значительно более высокой сохранности данных при снижении мощности потребления. К приложениям, заинтересованным в значительных преимуществ MRAM с структурой PSC относятся центры обработки данных, IoT и автономное транспортные системы. Поскольку PSC не требует дополнительных материалов или инструментов, кроме тех, которые уже используются в производстве STT-MRAM, структура PSC практически не создает сложности или добавленной стоимости для клиентов, а также может быть легко включена в любой существующий процесс производства MRAM.

О Applied Materials

   Applied Materials является лидером в области инженерных решений для материалов, используемых для производства практически каждого нового чипа и современного дисплея в мире. Опыт компании в области модификации материалов на атомных уровнях и в промышленном масштабе позволяет клиентам трансформировать возможности в реальность. 

О Spin Memory

   Spin Memory (ранее Spin Transfer Technologies) является выдающимся поставщиком MRAM технологий. Благодаря сотрудничеству с лидерами отрасли Spin Memory преобразует полупроводниковые отрасли, решая проблемы памяти, жизненно важные для AI, ADAS, 5G, IoT и других направлений. Технологии и продукты STT-MRAM памяти от Spin Memory обеспечивают сравнимые с SRAM скорость и надежность, которые могут заменить SRAM и, в конечном счете, DRAM память, как в встроенных, так и в автономных приложениях.

   Широкий ассортимент DRAM модулей памяти, твердотельных накопителей, карт памяти 1 гб и меньшего объема для пользовательских устройств и промышленных приложений доступен со склада. 

Другие новости