Корзина
233 отзыва
Прием звонков Пн-Пт 11:00-18:00  Прием заявок shop@allram.ru
+74993944388
+78127161093
РоссияСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2 ⚹⚹⚹ Россия, Москва, Пункт выдачи - Фрунзенская наб, д.30 с.2
GALAXIS - flash и оперативная память премиум качества
Оставить отзыв

MRAM от Intel и Samsung

MRAM от Intel и Samsung

    На 64-й Международной конференции по электронным устройствам, прошедшей на прошлой неделе, два крупнейших в мире производителя полупроводниковых решений памяти представили новые технологии для встраиваемой MRAM в процессах производства логических чипов.

 

Решения от Intel и Samsung

   Intel описала ключевые особенности энергонезависимой памяти MRAM на основе вращательного переноса (STT) в своем процессе 22FFL, назвав ее «технологией MRAM на основе FinFET». Описывая эту технологию как  реализованную, Intel не назвала ни одного литейщика для данного процесса, но независимые источники подтвердили, что она уже используется в продуктах, которые поставляются на рынок.

   Samsung, тем временем, описал STT-MRAM в 28-нм FDSOI-платформе. STT-MRAM считается лучшей технологией MRAM с точки зрения масштабируемости.

 

Технология MRAM

   Технология MRAM разрабатывалась с 1990-х годов, но пока не достигла широкого коммерческого успеха. В Samsung считают, что пришло время показать реальный коммерческий продукт с ее применением.

   В дополнение к тому, что ее рассматривают как альтернативу на замену чипов DRAM памяти и NAND-флэш, которые сталкиваются с серьезными проблемами масштабирования, MRAM, которая является энергонезависимой памятью, привлекает как замена встраиваемой технологии для флэш-памяти и SRAM из-за ее высокой скорости чтения/записи, долговечности и надежности. Встраиваемая MRAM считается особенно перспективной для таких приложений, как устройства Интернета вещей.

 

Применение MRAM

   Компания Globalfoundries с прошлого года предлагает встраиваемую MRAM для 22FDX 22-нм FDSOI процесса. Но специалисты отмечают, что пока неизвестны какие-либо коммерческие продукты, в которых реализована встраиваемая MRAM технология от Globalfoundries.

   В своем докладе Intel сообщила, что ее встраиваемая MRAM технология обеспечивает 10-летний срок хранения при температуре 200 °C и срок службы более 106 циклов переключения. Технология использует ячейку памяти 1T-1R размером 216 × 225 мм.

Samsung, тем временем, описал свою 8-мегабайтную MRAM с продолжительностью 106 циклов и продолжительностью 10 лет.

   Samsung пояснил, что технология будет изначально доступна для приложений Интернета вещей, однако уровень надежности должен стать значительно лучше, прежде чем ее можно будет использовать как альтернативу industrial flash решений в автомобильной и промышленной сферах.

 

 

Другие новости