Корзина
233 отзыва
Прием звонков Пн-Пт 11:00-18:00  Прием заявок shop@allram.ru
+74993944388
+78127161093
РоссияСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2 ⚹⚹⚹ Россия, Москва, Пункт выдачи - Фрунзенская наб, д.30 с.2
GALAXIS - flash и оперативная память премиум качества
Оставить отзыв

1TB eUFS 2.1 от Samsung

1TB eUFS 2.1 от Samsung

   Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области твердотельных накопителей и карт памяти 1 гб, объявила о начале массового производства первого в отрасли встраиваемого флэш-накопителя eUFS 2.1 объемом 1TB для использования в мобильных приложениях следующего поколения. Всего через четыре года после представления первого решения eUFS емкостью 128GB, Samsung преодолела столь ожидаемый порог терабайта в хранилище смартфона. Продвинутые пользователи смартфонов скоро смогут пользоваться емкостью памяти, сопоставимой с ноутбуком премиум-класса, без необходимости оснащать свои телефоны дополнительными картами памяти.

 

Конструктивные решения

   При том же размере пакета (11,5 x 13,0 мм) решение eUFS емкостью 1 ТБ удваивает емкость предыдущей версии объемом 512 ГБ, объединяя 16 слоев в стеке самой современной 5-гигабитной (Gb) V-NAND флэш-памяти Samsung и новый специально разработанный контроллер. Теперь пользователи смартфонов смогут хранить 260 10-минутных видео в формате 4K UHD (3840x2160), в то время как eUFS объемом 64 ГБ, широко используемая во многих современных смартфонах высокого класса, способна хранить только 13 видео того же размера.

 

Скорость и производительность

EUFS емкостью 1 ТБ также обладает исключительной скоростью, что позволяет пользователям передавать большие объемы мультимедийного контента в значительно сокращенное время. Со скоростью до 1000 мегабайт в секунду (МБ / с) новая eUFS обеспечивает примерно вдвое большую скорость чтения по сравнению с обычным твердотельным накопителем SATA DOM. Это означает, что видео в формате Full HD размером 5 ГБ можно выгрузить на твердотельный накопитель NVMe всего за пять секунд, что в 10 раз превышает скорость обычной карты microSD. Кроме того, скорость случайного чтения увеличилась на 38% по сравнению с версией 512 ГБ, достигнув 58 000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем высокопроизводительная карта microSD (100 IOPS), и может достигать 50 000 IOPS. Произвольные скорости позволяют осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду и позволят пользователям смартфонов в полной мере использовать возможности мультикамер в современных и будущих флагманских моделях.

 

Организация производства

   Samsung планирует расширить производство V-NAND 512Gb пятого поколения на своем заводе в Пхёнтэке в Корее в течение первой половины 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на 1TB eUFS со стороны производителей мобильных устройств по всему миру. Компания стремится обеспечить наиболее надежную цепочку поставок и адекватные объемы производства для поддержки своевременных запусков будущих флагманских смартфонов и стимулирования роста глобального рынка мобильных устройств.

 

 

Другие новости