Корзина
233 отзыва
Доставка по России, Армении, Белоруси, Казахстану, Киргизии
+74993944388
+78127161093
РоссияСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2 ⚹⚹⚹ Россия, Москва, Пункт выдачи - Фрунзенская наб, д.30 с.2
GALAXIS - flash и оперативная память премиум качества
Оставить отзыв

Коммерческая MRAM от Samsung

Коммерческая MRAM от Samsung

   Компания Samsung, крупнейший на рынке  производитель решений памяти, в том числе DRAM, SSD и карт памяти 2gb, объявила о начале массового производства своей первой коммерческой встраиваемой магнитной оперативной памяти, далее eMRAM. Модуль eMRAM, изготовленный по технологии 28FDS, обещает более высокую производительность и долговечность по сравнению с eFlash. Кроме того, он может быть интегрирован в существующие чипы, в зависимости от производителя.

 

Технология MRAM

   В магниторезистивном ОЗУ используется метод, основанный на сопротивлении, который определяет, какие данные хранятся в ячейке, что, в свою очередь, основано на считывании ориентации двух ферромагнитных пленок, разделенных тонким барьером. Samsung называет этот процесс Магнитным туннельным переходом, далее MTJ.

   MRAM является одной из самых эффективных и долговечных технологий энергонезависимой памяти в настоящее время. Samsung утверждает, что, поскольку его eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных, он в 1000 раз быстрее, чем eFlash. По словам производителя, он также использует более низкие напряжения по сравнению с eFlash и поэтому потребляет около 1/400 энергии во время процесса записи.

 

Емкость MRAM

   Однако плотность и емкость MRAM далеко не соответствуют объемам флэш-памяти 3D XPoint, DRAM и NAND, что значительно сокращает ее адресные рынки. Samsung официально не раскрывает возможности своего нового модуля eMRAM, компания только заявляет, что ей еще предстоит создать чип eMRAM 1GB в 2019 году, это свидетельствует о том, что текущее предложение имеет меньшую емкость.

 

Сферы применения

   Созданный с использованием технологии Samsung 28FDS, модуль eMRAM от Samsung может быть интегрирован в процесс производства чипа, добавив три дополнительные маски. В результате модуль не обязательно зависит от того, какая технология изготовления интерфейса используется, что позволяет вставлять его в микросхемы, изготовленные с использованием процессов массового производства FinFET или FD-SOI.

   Ввиду своей ограниченной емкости, Samsung утверждает, что модуль изначально предназначен для использования в микроконтроллерах, чипах для IoT и AI (нейронные сети, машинное обучение и т. д.).

 

Планы на будущее

   Между тем, Samsung заявляет, что будет продолжать расширять предложения по встроенной энергонезависимой памяти. Среди будущих опций - тестовый чип eMRAM емкостью 1GB, выход которого запланирован на конец этого года. Еще дальше, Samsung также планирует создать eMRAM, используя процесс 18FDS, а также более продвинутые узлы на основе FinFET.

   Перспективные решения от Samsung широко используются ведущими производителями в своих передовых продуктах, в том числе в комплектующих памяти для imac, mac pro от Apple. Стоит ожидать, что через какое-то время технология MRAM так же будет реализована в новых версиях устройств.

 

 

Предыдущие новости