Корзина
235 отзывов
Прием звонков Пн-Пт 11:00-18:00  Прием заявок shop@allram.ru
+74993944388
+78127161093
РоссияСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2 ⚹⚹⚹ Россия, Москва, Пункт выдачи - Фрунзенская наб, д.30 с.2
Galaxis - опции flash и dram памяти
Оставить отзыв

8Gbit DDR4(1Ynm) от SK Hynix

8Gbit DDR4(1Ynm) от SK Hynix

    В рамках своего отчета о доходах за первый квартал 2019 года компания SK Hynix, второй по величине производитель DRAM чипов для массового сегмента и специализированных модулей памяти типа cb423a, сообщила, что планирует увеличит объем производства DRAM, изготовленной с использованием производственного процесса 10 нм класса 1-го поколения (1X nm), и начнет продавать DRAM, изготовленные с использованием ее технологии изготовления 2-го поколения 10-нм класса (1Y nm) во второй половине этого года. Ускоренный переход к технологиям класса 10 нм позволит компании увеличить выпуск битов DRAM, в конечном итоге сократить свои расходы и подготовиться к производству памяти нового поколения.

 

Применение технологии 1Y nm

   Первыми продуктами, которые будут производиться с использованием производственной технологии SK Hynix 1Y nm, станут чипы памяти DDR4-3200 емкостью 8Gb. Производитель заявил, что новый процесс позволил ему уменьшить размер кристалла устройства DDR4 8Gb на 20% и снизить его энергопотребление на 15% по сравнению с аналогичным устройством, изготовленным с использованием технологии изготовления 1X nm. Кроме того, в будущих чипах SK Hynix 8Gb DDR4-3200 реализованы два важных усовершенствования: схема 4-фазного тактирования и технология Sense Amplifier Control. 4-фазное тактирование увеличивает мощность сигнала для поддержания стабильности при высоких скоростях передачи данных. Между тем, Sense Amplifier Control снижает вероятность ошибок в данных, которые могут возникнуть при уменьшении размеров транзисторов.

   Хотя упомянутые технологии для DDR4 будут важны уже в этом году, SK Hynix, как сообщается, будет использовать процесс изготовления 1Y nm для производства DDR5, LPDDR5 и GDDR6 DRAM. Поэтому крайне важно, чтобы компания как можно быстрее внедрила технологию производства второго поколения класса 10 нм, чтобы подготовиться к предстоящему. Кроме того, технология Sense Amplifier Control будет важна и для технологических процессов следующего поколения.

 

Выпуск продукции на 1Y nm

   SK Hynix действует довольно медленно, переходя на технологии производства 10 нм класса DRAM. Micron и Samsung с 2018 года поставляют продукцию, изготовленную с использованием процессов изготовления 10 нм второго поколения, в то время как SK Hynix до недавнего времени боролась с технологией 10 нм DRAM первого поколения. Между тем, по предварительным планам, технология изготовления 2-го поколения 10-нм класса SK Hynix будет использоваться для коммерческих продуктов во второй половине 2019 года.

 

О производителе

   Корейская компания SK Hynix является крупнейшим разработчиком и производителем DRAM чипов памяти и модулей памяти. Комплектующие SK Hynix используются ведущими производителями компьютерных устройств, в том числе в комплектах памяти для imac, mac mini и других линейках Apple.

 

 

Другие новости