SK Hynix сокращает выпуск 3D NAND

   Компания SK Hynix, крупнейший производитель чипов памяти для твердотельных накопителей и карт compact flash 2gb, заявила, что в ближайшие месяцы начнет сокращать объемы выпуска 3D NAND более активно, чем предполагалось ранее в этом году. Кроме того, компания пересмотрит планы по оснащению заводов M15 и M16, что позволит сократить капитальные затраты.

Сокращение объемов выпуска

   Избыток памяти 3D NAND побуждает производителей сокращать производство в попытке стабилизировать цены. Ранее в этом году SK Hynix заявила, что сократит объемы выпуска 3D NAND в 2019 году на 10%, но на этой неделе она заявила, что изменила свои планы и теперь намеревается сократить объемы выпуска на 15% по сравнению с 2018 годом.

Основные причины

   Во втором квартале 2019 года поставки флэш битов NAND SK Hynix увеличились на колоссальные 40% по сравнению с предыдущим кварталом, поскольку компания увеличила объем производства 72-слойных 3D NAND и на фоне общего роста спроса после традиционно медленного первого квартала. Между тем, средние цены продаж 3D NAND упали на 25%, что является поводом для беспокойства для SK Hynix.

Битовая мощность выпуска

   По мере того, как SK Hynix (и другие производители флэш-памяти NAND) переходят к более совершенным проектам 3D NAND с большим количеством слоев (или большим количеством битов на ячейку в случае 3D QLC) и более высокой битовой плотностью, они увеличивают свой битовый выход, что в некоторой степени создает избыточный запас , В результате, сокращение выхода пластин (обычно предыдущего поколения) на 10-15% может оказаться недостаточным для уменьшения выходной битовой мощности.

   В настоящее время SK Hynix производит 72-слойную 3D NAND для центров обработки данных и основных твердотельных накопителей. 96-слойное 3D TLC NAND устройство 512 Gbit было запущено в производство в ноябре прошлого года, и компания намерена в ближайшее время увеличить производство 96-слойной 3D NAND. Кроме того, SK Hynix недавно начала наращивать производство чипов 1 Tbit 4D TLC NAND, отличающихся фирменной конструкцией кристалла с зарядовой ловушкой (CTF) и архитектурой периферийных устройств под ячейками (PUC). Эти запоминающие устройства обещают значительно улучшить битовую плотность по сравнению с поставляемой в настоящее время 3D NAND, и еще больше увеличить объем выпуска 3D NAND SK Hynix.

Дополнительные меры

   В дополнение к сокращению объемов выпуска 3D NAND SK Hynix также замедлит расширение пространства чистых помещений на своем заводе M15 около Чхонджу, Южная Корея, который может производить как DRAM для ОЗУ cb423a, так и 3D NAND для SSD. Кроме того, компания задержит установку оборудования на своем заводе М16 недалеко от Ичхона. SK Hynix утверждает, что изложенный выше перечень мер значительно снизит капитальные затраты в 2020 году по сравнению с 2019 годом, а новые производственные мощности на указанных заводах могут вовсе не появиться в следующем году.