Корзина
241 отзыв
8 800 551-52-61 (пн-пт 11:00-18:00) E-mail: shop@allram.ru
+7 499 3944388
+7 812 7161093
8 800 5515261
РоссияЛенинградская областьСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2 ⚹⚹⚹ Россия, Москва, Пункт выдачи - Фрунзенская наб, д.30 с.2
Galaxis - опции flash и dram памяти
Оставить отзыв

V-NAND Gen6 от Samsung

V-NAND Gen6 от Samsung

   Компания Samsung, лидер на рынке чипов памяти для твердотельных накопителей и карт памяти 1гб, анонсировала flash память V-NAND шестого поколения, которая в целях дальнейшего качественного роста емкости и плотности имеет более сотни активных слоев. Чтобы сделать V-NAND с более  чем ста слоями эффективной с точки зрения производительности, компании пришлось использовать новую технологию проектирования схем. Новая память имеет на 10% меньшие задержки и потребляет на 15% меньше энергии по сравнению с V-NAND предыдущего поколения.

 

Технологии и преимущества новинки

   V-NAND Samsung 6-го поколения имеет до 136 слоев, а также ячейки памяти с зарядом ловушкой (CTF). Новая память использует один стек и не использует технологию укладки строк для построения более ста слоев. Чтобы обеспечить минимальные ошибки и малые задержки, Samsung пришлось использовать новую оптимизированную по скорости конструкцию схемы. Последнее позволяет новым чипам 3D TLC 256 Gbit  предложить задержку менее 450 мкс для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения, что на 10% быстрее по сравнению с V-NAND предыдущего поколения. Также последняя V-NAND также отличается от предшественников более низким энергопотреблением.

 

Нюансы производства и перспективы

   Следует отметить, что новые устройства V-NAND 256 Gbit 136-laers используют 670 миллионов отверстий по сравнению с 930 миллионами отверстий по сравнению с предыдущим поколением, это означает, что новые чипы требуют меньше технологических этапов и их легче изготавливать. Важно то, что Samsung планирует использовать свою 136-laers архитектуру с оптимизированной по скорости схемой для создания устройств V-NAND с более чем 300-laers, монтируя три текущих стека друг на друга и, таким образом, утраивая емкость чипа.

 

Продукты на основе V-NAND Gen6

   Первоначально Samsung будет предлагать устройства 3D NAND TLC емкостью 256 Gbit с 136 слойной V-NAND, которые первоначально будут использоваться для твердотельных накопителей Samsung на 250 GB. Позднее в этом году Samsung планирует выпустить 136-слойные устройства V-NAND 512 Gbit, которые будут использоваться как для других накопителей SSD IDE/ SATA/ PCIe большой емкости, так и для систем хранения eUFS.

   Стоит отметить, что SSD накопитель емкостью 256 GB на основе V-NAND 6-го поколения использует новый контроллер Samsung S4LR030 / S94G4MW2.

 

 

Другие новости