Корзина
245 отзывов
8 (800) 551-52-61 пн-пт 11:00-18:00 * E-mail: shop@allram.ru
+7 (499) 394-43-88
+7 (812) 716-10-93
8 (800) 551-52-61
РоссияЛенинградская областьСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2 ⚹⚹⚹ Россия, Москва, Пункт выдачи - Фрунзенская наб, д.30 с.2
Galaxis - опции flash и dram памяти
Оставить отзыв

DDR4 и LPDDR4X 16Gbit от Micron

DDR4 и LPDDR4X 16Gbit от Micron

   Компания Micron объявила о начале массового производства микросхем памяти, используя технологию изготовления 3-го поколения 10 nm класса, также известную как 1Z nm. Первыми DRAM, выполненными с использованием процесса Micron 1Z nm, будут монолитные устройства DDR4 и LPDDR4X 16 Gbit, позднее производитель расширит портфель продуктов.

 

Преимущества новой технологии

   Процесс производства 3-го поколения 10 nm (1Z nm) позволит Micron увеличить битовую плотность, повысить производительность и снизить энергопотребление своих микросхем DRAM по сравнению со вторым поколением 10 nm класса (1Y nm) технологии. В частности, компания заявляет, что ее устройство DDR4 16Gbit потребляет на 40% меньше энергии, чем два устройства DDR4 DRAM 8Gbit с одинаковыми тактовыми частотами. Между тем, микросхемы 16 Gbit LPDDR4X от Micron обеспечат экономию энергии до 10%. Из-за более высокой битовой плотности, которую обеспечивает новая технология 1Z nm, Micron будет дешевле производить микросхемы памяти большой емкости для недорогих подсистем памяти большой емкости.

 

Стандартные микросхемы памяти

   Производитель не раскрыл информацию о скорости своих 16Gbit DDR4 DRAM, но ожидается, что она будет в официальных диапазонах JEDEC. Одними из первых продуктов, которые будут использовать устройства DDR4 16 Gbit, будут модули памяти большой емкости от 32 GB для настольных компьютеров, ноутбуков и рабочих станций, в том числе модули оперативной памяти для imac 2019, macbook и других моделей Apple.

 

Микросхемы памяти для смартфонов

   Что касается мобильной памяти, то микросхемы 16 Gbit LPDDR4X от Micron рассчитаны на скорость передачи до 4266 MT/s. Кроме того, наряду с предложением пакетов DRAM LPDDR4X с поддержкой до 16 GB (8x16 Gbit) для смартфонов высокого класса, Micron предложит многочиповые пакеты на основе uMCP4, которые интегрируют NAND и DRAM. Семейство продуктов uMCP4 компании, предназначенных для массовых телефонов, будет включать предложения от 64 GB NAND + 3 GB DRAM до 256 GB NAND + 8 GB DRAM.

 

Производственные мощности

   Micron не раскрывает, где начнет производство свои монолитных 16 Gbit чипов DDR4 и LPDDR4X, используя свою технологию 1Z nm. Однако, как правило, компания начинает массовое производство с использованием новейших производственных процессов на своем заводе в Хиросиме, Япония, также выпускающем чипы памяти для опции cb423a. Между тем, среди аналитиков также высказывались некоторые предположения о том, что компания с нетерпением ожидает запуска производственных линий 1Z в этом году на своей фабрике Micron Memory Taiwan недалеко от Тайчжуна, Тайвань.

 

 

Другие новости