Корзина
200 отзывов
Imec обеспечит будущее DRAM масштабирования
Контакты
Galaxis
+7812716-10-93по С-Петербургу и регионам России
+7499394-43-88по Москве и Московской области
РоссияСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2
268-438-090
Карта

Imec обеспечит будущее DRAM масштабирования

Imec обеспечит будущее DRAM масштабирования

Бельгийская компания Imec, производящая научные и исследовательские разработки для всех крупных производителей DRAM, показала направление дальнейшего развития для масштабирования конденсаторов в DRAM памяти.

   Специалисты Imec обнаружили, что эффективное туннелирование массы электрона в диэлектрической пленке металл-диэлектрик-металл (MIM) конденсатора DRAM является решающим параметром для дальнейшего масштабирования DRAM. Обнаруженное стало результатом исследований влияния эффективной туннельной массы на внутреннюю утечку тока в MIM структурах. Значения эффективных туннельных масс были рассчитаны для двух видов диэлектрической пленки: оксида титана (TiO) и титаната стронция (STO).

   Постоянное уменьшение размера MIM конденсатора ячейки DRAM, одного из трех основных компонентов ячейки DRAM памяти, достигалось использованием диэлектрики с все возрастающей диэлектрической проницаемостью. Таким образом количество накопленного заряда на конденсаторе может быть выше, а токи утечки ниже указанного предела. Будущее вертикальных интегральных схем может столкнуться с еще одной проблемой, развитием конденсаторов с максимальным значением физической толщины, что вступает в прямой конфликт с поддержанием токов утечки.

   Исследования Imec показали, что  когда толщина изолятора ограничена, масштабирование DRAM может быть не ограничено возможностью достижения высокой диэлектрической проницаемости, при использовании диэлектрического материала с достаточно высокой эффективной туннельной массой.

   Было установлено, что конечная утечка ограничивается внутренним прямым туннельным механизмом, который зависит от толщины слоя диэлектрика в барьере металл-диэлектрик и эффективной туннельной массы. В частности ученые исследовали влияние эффективной туннельной массы на внутренние утечки и определили, какие именно свойства диэлектрических материалов влияют на эффективную туннельную массу.

   Расчет эффективных туннельных масс был произведен для двух диэлектрических пленок: TiO и СТО. Диэлектрические пленки обладали физической толщиной были около12nm и 9nm, и относительной диэлектрической проницаемостью около 80 и 90 для TiO и СТО, соответственно. Эффективная туннельная масса была получена за счет использования неидеальных свойств пленок, а именно способствующих утечке ловушек.

   Исследования доказывают, что эффективная туннельная масса является критическим параметром для дальнейшего масштабирования MIM конденсаторов DRAM. Например, моделирование показало, что с ростом эффективной туннельной массы, тонкие пленки диэлектрика являются достаточными для достижения указанной утечки.