Опираясь на более 100 технологических компаний, три ведущих производителя памяти объявили окончательные спецификации на трехмерную DRAM память, направленную на повышение производительности сетей и высокопроизводительных вычислительных систем. Micron, Samsung и Hynix ведущие участники консорциума Hybrid Memory Cube (HMC). Технология Hybrid Memory Cube - это следующий этап эволюции DRAM, в ее основе лежит трехмерная компоновка интегральных микросхем, соединенных между собой новой кремниевой технологией Vertical Interconnect Access (VIA), методом передачи электрических сигналов вертикально через кремниевую пластину.
Первая спецификация Hybrid Memory Cube предоставит 3D чипы объемом 2GB и 4GB, совокупной двунаправленной пропускную способностью до 160GBps, для DDR3 и DDR4 совокупная пропускная способность составляет 11GBps и 18GBps соответственно. Таким образом Hybrid Memory Cube демонстрирует 15 кратное превосходство в производительности, что на фоне снижения энергопотребления на 70% и значительного уменьшения требований физического пространства выглядит очень эффектно. В качестве примера, вместо нескольких стандартных модулей DIMM на материнской плате Вам потребуется один модуль Hybrid Memory Cube, что позволит сократить число интерфейсов для CPU.
По словам аналитиков рынка, особенности новых чипов оперативной памяти непременно потребуют внести структурные изменения в материнские платы, процессоры и другие элементы компьютера, тем самым дадут новый виток развития компьютерной технике.
В нашей компании представлен большой ассортимент карт памяти 2 гб, цены с НДС. Предложения действительны для физических и юридических лиц, доставка по всем регионам России, Белоруссии и Казахстана.