Корзина
202 отзыва
Утверждены спецификации Hybrid Memory Cube
Контакты
Galaxis
+7812716-10-93по С-Петербургу и регионам России
+7499394-43-88по Москве и Московской области
РоссияСанкт-ПетербургПункт выдачи - Ленинский проспект, д.77 к.2
268-438-090
Карта

Утверждены спецификации Hybrid Memory Cube

Утверждены спецификации Hybrid Memory Cube

   Опираясь на более 100 технологических компаний, три ведущих производителя памяти объявили окончательные спецификации на трехмерную DRAM память, направленную на повышение производительности сетей и высокопроизводительных вычислительных систем. Micron, Samsung и Hynix ведущие участники консорциума Hybrid Memory Cube (HMC). Технология Hybrid Memory Cube - это следующий этап эволюции DRAM, в ее основе лежит трехмерная компоновка интегральных микросхем, соединенных между собой новой кремниевой технологией Vertical Interconnect Access (VIA), методом передачи электрических сигналов вертикально через кремниевую пластину.

   Первая спецификация Hybrid Memory Cube предоставит 3D чипы объемом 2GB и 4GB, совокупной двунаправленной пропускную способностью до 160GBps, для DDR3 и DDR4  совокупная пропускная способность составляет 11GBps и 18GBps соответственно. Таким образом Hybrid Memory Cube демонстрирует 15 кратное превосходство в производительности, что на фоне снижения энергопотребления на 70% и значительного уменьшения требований физического пространства выглядит очень эффектно. В качестве примера, вместо нескольких стандартных модулей DIMM на материнской плате Вам потребуется один модуль Hybrid Memory Cube, что позволит сократить число интерфейсов для CPU.

   По словам аналитиков рынка, особенности новых чипов оперативной памяти непременно потребуют внести структурные изменения в материнские платы, процессоры и другие элементы компьютера, тем самым дадут новый виток развития компьютерной технике.