Samsung Electronics, крупнейший производитель NAND памяти, объявил о начале массового производства твердотельных накопителей 128GB на основе TLC (трехуровневых ячеек) чипов NAND памяти с использованием 10 нм класса техпроцесса в начале этого месяца. Высокоразвитые чипы смогут использоваться в решениях, требующих высокой плотности памяти, таких как встроенная NAND память и твердотельные накопители. Ранее чипы TLC NAND в основном использовались для карт памяти.
SSD 128GB от Samsung основан на трехбитной многоуровневой конструкции ячейки и 10нм классе техпроцесса. Он может похвастаться самой высокой плотностью в отрасли, а также самым высоким уровнем производительности 400Mb/s скорость передачи данных на основе переключения интерфейса DDR 2.0. 10нм-класс означает значение техпроцесса где-то между 10нм и 20нм.
Используя 128Гб TLC NAND Flash, Samsung расширит свои поставки 128GB карт памяти. Также компания будет наращивать свои объемы производства твердотельных накопителей с плотностью более 500GBs для широкого внедрения SSD в компьютерные системы, в то время как происходит переход на рынке ноутбуков с жестких дисков (HDD) на твердотельные диски ide (SSD).