Samsung объявил во вторник о начале массового производство Вертикальной 3D NAND (V-NAND) флэш-памяти, которая обеспечивает большую долговечность и объем записи по сравнению с текущим NAND чипами флэш-памяти на основе плоских структур.
Новая 3D V-NAND продукция от южнокорейской компании производится плотностью 128 Гб на чип и рассчитана для "широкого спектра бытовой электроники и корпоративных приложений, в том числе встроенных NAND систем хранения и твердотельных накопителей (SSD IDE)".
Новая флэш-технология от Samsung предлагает 10 кратную надежность текущего поколения, NAND Flash 10-нм класса с плавающим затвором, и удвоенную производительность записи из самых современных предложений флэш-памяти на рынке в настоящее время.
По заявлению представителя компании, "новые 3D V-NAND Flash технологии являются результатом многолетних усилий сотрудников, направленные на развитие возможностей взглянуть за рамки традиционных способов мышления и проведение гораздо более инновационных подходов для преодолении ограничений в разработке памяти полупроводниковых технологий". Технология использует "собственную вертикальную структуру ячеек на основе 3D-Charge Trap Flash (CTF) технологии и технологии вертикального процесса, позволяющего связать 3D массивы ячеек.
Модули памяти DiskOnChip применяются в промышленных встраиваемых системах, широкий ассортимент продукции поддерживается в наличии на наших складах в Москве и Санкт-Петербурге.